За секунду можна залити 30 гігабайт: Samsung розробив HBM-чипи нового покоління

За секунду можна залити 30 гігабайт: Samsung розробив HBM-чипи нового покоління

Південнокорейська компанія Samsung Electronics заявила про розробку мікросхем пам’яті з високою пропускною здатністю (High Bandwidth Memory, HBM) п’ятого покоління.

Як передає Укрінформ, про це повідомляє Yonhap.

Коментарів немає

Читайте також